A-1 / A-1S探头日本ADS艾迪斯
关于 GaAs 霍尔传感器霍尔传感器材料包括InSb（锑化铟）、Si（硅）、InAs（砷化铟）、GaAs（砷化镓）等，但我们使用的GaAs霍尔传感器是恒流工作的，有时它的优点是灵敏度温度系数小，相对于磁场强度的线性度好，高频特性优良。我们所有的探头产品都使用这种 GaAs（砷化镓）作为霍尔元件。型号名称尖端尺寸磁感受区测量范围主要用途A-1φ550 x 50 微米0-3T一般用途A-1Sφ550
- 型号： A-1 / A-1S
关于 GaAs 霍尔传感器
霍尔传感器材料包括InSb（锑化铟）、Si（硅）、InAs（砷化铟）、GaAs（砷化镓）等，但我们使用的GaAs霍尔传感器是恒流工作的，有时它的优点是灵敏度温度系数小，相对于磁场强度的线性度好，高频特性优良。我们所有的探头产品都使用这种 GaAs（砷化镓）作为霍尔元件。
| 型号名称 | 尖端尺寸 | 磁感受区 | 测量范围 | 主要用途 |
| A-1 | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-1S | φ5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 用于系统测量 |
| A-4 | φ3 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-5 | φ2.5 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-6 | φ1.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 对于狭窄的间隙 |
| A-8 | φ2.2 | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
| A-301 | φ5 | 30 x 30 微米 | 0-5T | 用于微磁场测量 |
| 主要规格项目 | A-1 | A-1S |
| 主要用途 | 一般用途 | 用于系统测量 |
| 霍尔元件 | 砷化镓 | |
| 元素数量 | 1件 | |
| 测量范围 | 0-3T | |
| 工作温度限制 | -20 至 + 60°C | |
| 磁感受区 | 50 微米 x 50 微米 | |
| 元件安装件质量 | 玻璃环氧树脂 | |
| 轴径 | φ5 | |
| 轴材质 | 铜（铜） | |
| 处理材料质量 | 缩醛树脂 | 无把手 |
| 电缆长度 | 3m（标准） | |