FS-7 / FS-8探头日本ADS艾迪斯
关于 GaAs 霍尔传感器霍尔传感器材料包括InSb(锑化铟)、Si(硅)、InAs(砷化铟)、GaAs(砷化镓)等,但我们使用的GaAs霍尔传感器是恒流工作的,有时它的优点是灵敏度温度系数小,相对于磁场强度的线性度好,高频特性优良。我们所有的探头产品都使用这种 GaAs(砷化镓)作为霍尔元件。型号名称尖端尺寸磁感受区测量范围主要用途F-11.0tx4mm70 x 70 微米0-3T一般用途FS-
- 型号:
关于 GaAs 霍尔传感器霍尔传感器材料包括InSb(锑化铟)、Si(硅)、InAs(砷化铟)、GaAs(砷化镓)等,但我们使用的GaAs霍尔传感器是恒流工作的,有时它的优点是灵敏度温度系数小,相对于磁场强度的线性度好,高频特性优良。我们所有的探头产品都使用这种 GaAs(砷化镓)作为霍尔元件。型号名称尖端尺寸磁感受区测量范围主要用途F-11.0tx4mm70 x 70 微米0-3T一般用途FS-
关于 GaAs 霍尔传感器
霍尔传感器材料包括InSb(锑化铟)、Si(硅)、InAs(砷化铟)、GaAs(砷化镓)等,但我们使用的GaAs霍尔传感器是恒流工作的,有时它的优点是灵敏度温度系数小,相对于磁场强度的线性度好,高频特性优良。我们所有的探头产品都使用这种 GaAs(砷化镓)作为霍尔元件。
型号名称 | 尖端尺寸 | 磁感受区 | 测量范围 | 主要用途 |
F-1 | 1.0tx4mm | 70 x 70 微米 | 0-3T | 一般用途 |
FS-3 | 0.7tx3mm | 70 x 70 微米 | 0-3T | 一般用途 |
FS-4 | 0.7tx2mm | 70 x 70 微米 | 0-3T | 一般用途 |
FS-5 | 0.7tx3mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 一般用途 |
FS-6 | 0.6tx1mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 对于狭窄的间隙 |
FS-7 | 0.45tx2mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 对于狭窄的间隙 |
FS-8 | 0.45tx2mm | 50 x 50 微米 | 0-3T | 对于狭窄的间隙 |
FS-301 | 0.7tx2mm | 30 x 30 微米 | 0-5T | 用于微磁场测量 |
主要规格项目 | FS-7 | FS-8 |
主要用途 | 对于狭窄的间隙 | |
霍尔元件 | 砷化镓 | |
元素数量 | 1件 | |
测量范围 | 0-3T | |
工作温度限制 | -20 至 + 60°C | |
磁感受区 | 50 微米 x 50 微米 | |
元件安装件质量 | 玻璃环氧树脂 | |
尖端尺寸 | 0.45tx 2mm(尖端长度40mm) | 0.45tx 2mm(尖端长度20mm) |
轴材质 | Gala Epo 板 | |
处理材料质量 | 缩醛树脂 | |
电缆长度 | 3m(标准) |